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2011下半年NB市场将遭遇平板电脑正面冲突
根据集邦科技(TrendForce)旗下研究机构 DRAMeXchange 调查，受到终端需求不振以及日本地震后对笔记本电脑(NB)供应链产生的影响，第二季代工厂出货不确定因素增加，尽管需求可能递延至下半年，但下半年将与平板电脑的放量效应正面冲突，预算排挤效应将对NB成长有所压抑。
2011-04-13
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日本地震影响电子元件供应与价格
日本地震与海啸可能导致某些电子元件严重短缺，进而推动这些元件的价格大幅上涨。虽然目前几乎没有关于电子工厂实际损失的报道，但运输与电力设施受到破坏将导致供应中断，造成元件供应短缺和价格上涨。受到影响的元件将包括NAND闪存、DRAM、微控制器、标准逻辑、液晶显示器(LCD)面板、LCD元件和材料。
2011-03-18
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F-RAM会带来RFID标签的革命吗？
目前市场上的存储器种类非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND闪存、铁电存储器等。世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron的MaxArias™系列无线存储器将非易失性F-RAM存储器技术的低功耗、高速度和高耐久性等特性与行业标准无线存取功能相结合，使创新型的数据采集能力应用更广泛的领域。
2011-03-01
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iSuppli预计今年平板电脑出货量将达5760万台
市场研究公司iSuppli预计，平板电脑DRAM内存的出货量今年将从去年的3780万GB增长至3.53亿GB。这一数字将在2012年达到 10亿GB，2014年达到35亿GB。
2011-02-08
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2010年整体平板电脑的出货量预估为1500万台
根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAM eX change的调查，由于iPad带动平板电脑的风潮，许多PC厂商与手机厂商在下半年加速在平板电脑的开发与上市计画。为了与iPad竞争，其他厂商的平板电脑设计强调更强大的处理器效能、更大的储存空间与开放性的软硬体支援(例如提供 USB埠与支援Flash播放等功能)，企图结合GoogleAndroid来走出另外一条路。
2010-12-31
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VLSI提高半导体预测 但CEO们仍是谨慎的乐观
VLSI提高IC预测，但是该公司看到虽然很多产品供不应求，但是有一种可能DRAM市场再次下跌。
2010-08-05
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通孔刻蚀工艺的检测技术研究
随着半导体制造技术推进到更加先进的深亚微米技术，半导体金属布线的层数越来越多，相应的通孔刻蚀工艺也越多，并且伴随着通孔的尺寸随着器件设计尺寸逐步缩小。以DRAM制造为例，存储量由4M发展到512M时，设计规则由1μm缩小到0.16μm，其中通孔的尺寸也从0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蚀的难度也越来越大，如果刻蚀不到位，就可能出现金属布线间的开路，直接导致器件失效。那么蚀刻后的监测就变的至关重要，本文简介通孔刻蚀工艺的检测技术研究，并对比了不同检测设备的检测结果
2010-06-22
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2010年半导体设备产业将劲扬113.2%
Gartner副总裁Klaus Rinnen表示：技术升级，将带动 2010年半导体资本设备市场的成长。对40奈米和45奈米设备的需求大幅增加，带动晶圆代工的庞大资本支出。英特尔对3x奈米的投资，NAND 记忆体制造商支出增加，以及升级至下一世代 DDR3 DRAM 记忆体，皆为主要的投资成长动能。
2010-06-21
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DRAM产业回升，以胜利姿态挥别2009
据iSuppli公司，2009年DRAM市场摇摆不定，从一个极端到另一个极端，但第四季度克服了年初时的疲弱局面，高调结束全年，自2007年以来首次实现盈利。
2010-05-05
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移动存储整合突显移动平台越来越重要
据iSuppli公司，最近DRAM供应商尔必达和美光的收购行动，突显供应商越来越重视打造完整的内存产品组合，以面向快速增长的智能手机市场。
2010-03-26
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DDR测试系列之三—— 某SDRAM时钟分析案例
SDRAM时钟分析案例:串联匹配是较好的SDRAM的时钟端接策略，在原理图设计中，需要加上串联的电阻和并联的电容，如果MCU输出的时钟驱动能力弱，可以不使用并联的电容或者换用较小的电阻。准确的测量内存时钟需要足够带宽的示波器和探头，无源探头在高频时阻抗太小，不能准确的测量波形，需要使用高带宽的有源探头。
2009-12-18
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韩国两大半导体巨头占据全球市场大半江山
iSuppli发布报告称，今年7-9月期全球DRAM市场上，韩国三星电子、海力士半导体两大巨头合计销售额共占全球市场总销售额的57.2%；再次刷新2季度55.8%历史最高记录，与1年前的49.3%相比，则提升了7.9个百分点之多，显现出韩国两大半导体巨头的全球市场份额急剧上升的强劲势头。
2009-12-02
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