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铠侠与闪迪发布下一代3D闪存技术，实现4.8Gb/s NAND接口速度
两家公司在2025年国际固态电路会议上展示了这项3D闪存创新技术，它与公司突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术1相结合，采用最新的NAND闪存接口标准Toggle DDR6.0以及SCA（独立命令地址）协议2（一种全新的接口命令地址输入方式），同时还整合了PI-LTT（电源隔离低抽头终端）技术3（在进一步降低功耗方面发挥了关键作用）。
2025-02-24
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漫谈QLC其三：QLC NAND的主流应用
前文所述，老四QLC在争议中成长，已进入当打之年，凭借性能、寿命、容量和价格极致性价比的特性，配合主控和固件纠错能力和算法方案的日渐成熟，进入到消费级SSD和企业级SSD主战场，如今市面上有多款已量产的消费级和企业级QLC SSD，进入商用。
2023-12-11
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漫谈QLC其二：扛起NAND家族重任，老四QLC
今天，TLC依然为SSD/嵌入式存储中的主力NAND颗粒，但QLC开始登上舞台，发起挑战，和2016年那时的自己相比，QLC实力大增。NAND家族，从老大SLC开始，到老二MLC和老三TLC，再到今天的老四QLC NAND，发挥自身优势，克服自身不足，一代代传承下来，扛起家族事业的重任。
2023-11-30
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漫谈QLC其一：QLC定义及应用
目前，闪存增容的主要方式有两种，其一是结构上，由2D NAND到3D NAND，从平面到立体，实现闪存容量的提升，并随着堆叠层数的增加优化成本，继而适应市场需求；其二是逻辑上，提升存储单元存储的位数，即由仅能存储1位数据的SLC，到存储2位数据的MLC，直到如今能存储4位数据的QLC，通过这种方式，提升闪存存储容量优化成本。
2023-11-28
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利用3D NAND克服工业数据存储问题
随着对新特性和功能需求的增加，大容量存储在嵌入式工业应用中的使用持续增长。虽然更复杂的GUI和应用已经通过增加NAND芯片容量而成为可能;更快的接口和各种托管NAND解决方案的可用性;寻找能够应对极端环境需求的足够固态存储解决方案的挑战仍然存在。幸运的是，NAND存储介质和控制器设计的发展意味着现在有更可靠和更具成本效益的选择。
2022-10-31
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ADALM2000实验：TTL逆变器和NAND门
自20世纪60年代首次生产出集成逻辑门以来，各种数字逻辑电路技术层出不穷。本次实验将研究晶体管-晶体管逻辑(TTL)电路逆变器（非门）和2输入NAND门配置。
2022-10-20
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贸泽与ATP签订全球分销协议，备货其存储和内存解决方案
2022年7月21日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与ATP Electronics签订全球分销协议。ATP Electronics是专业存储和内存解决方案的知名供应商。签订协议后，贸泽将分销ATP Electronics面向工业与汽车应用的存储卡、SSD和托管NAND设备。
2022-07-21
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KIOXIA铠侠庆祝NAND闪存发明35周年
2022年4月25日，中国上海 — 20世纪90年代的MP3播放器与如今的智能手机有什么共同之处？如果没有NAND闪存这一影响力贯穿几十年的创新技术，这两者都将不会存在。全球存储器解决方案领导者KIOXIA铠侠近日宣布，其已达成一座新的里程碑——2022年是公司发明NAND闪存的35周年。
2022-05-01
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适用于工业应用的 NAND 闪存
如今，在 NAND 闪存行业中，随处可见存储密度又达到新高的各种新闻。闪存早已实现了 100 层以上的技术，并且在短期内似乎并没有遇到瓶颈的迹象。
2021-11-15
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威刚工控领先推出112层BiCS5 3D NAND固态硬盘
2021年7月22日 – 全球工业级嵌入式存储领导品牌ADATA威刚科技(3260)，领先业界推出新一代112层堆栈BiCS5 3D NAND固态硬盘，以容量更高、效能更佳的优势，强力助攻5G、物联网、AI(人工智能)、网通、服务器等应用的发展！根据GSA报告显示，截至2021年5月底，全球已有70国169家业者提供5G商用服务；随着未来5G布建更加完整，与商用5G相关的智能物流、远程医疗、自动驾驶、安防监控等应用也将更为蓬勃。
2021-07-22
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美光率先于业界推出 1α DRAM 制程技术
2021年 1 月 27 日，中国上海 — 内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU) 今日宣布批量出货基于 1α (1-alpha) 节点的 DRAM 产品。该制程是目前世界上最为先进的 DRAM 技术，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。这是继最近首推全球最快显存和 176 层 NAND 产品后，美光实现的又一突破性里程碑，进一步加强了公司在业界的竞争力。
2021-01-27
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美光携手联想、联宝科技成立联合实验室，加速开发下一代PC和笔记本电脑
2021年 1 月 25 日，中国上海 — 内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU) 今日宣布携手联想及联宝科技 (联想旗下最大的制造和研发机构) 成立联合实验室。该实验室是内存和存储业界首家同时联合原始设计制造商 (ODM) 及原始设备制造商 (OEM) 的联合实验室。这种独特的三方合作模式将加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿创新技术 (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在联想产品设计中的应用，从而更好地满足用户的核心工作负载需求。
2021-01-27
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